CZ Silicon Wafer

Opis

CZ Single Crystal Silicon Wafer je isječen iz monokristalnog silicijumskog ingota izvučen Czochralski CZ metodom rasta, koja se najčešće koristi za rast silicijumskih kristala velikih cilindričnih ingota koji se koriste u elektronskoj industriji za izradu poluvodičkih uređaja.U ovom procesu, tanko sjeme kristalnog silicija s preciznim tolerancijama orijentacije se unosi u rastopljenu kupku silicijuma čija je temperatura precizno kontrolirana.Zamjenski kristal se polako povlači nagore iz taline vrlo kontroliranom brzinom, kristalno skrućivanje atoma iz tekuće faze se događa na međuprostoru, sjemenski kristal i lonac se rotiraju u suprotnim smjerovima tokom ovog procesa povlačenja, stvarajući veliki pojedinačni kristalni silicijum sa savršenom kristalnom strukturom semena.

Zahvaljujući magnetskom polju primijenjenom na standardno izvlačenje CZ ingota, monokristalni silicij Czochralski MCZ induciran magnetnim poljem ima relativno nižu koncentraciju nečistoća, niži nivo kisika i dislokacije, te ujednačenu varijaciju otpornosti koja se dobro ponaša u elektronskim komponentama i uređajima visoke tehnologije. proizvodnja u elektronskoj ili fotonaponskoj industriji.

Dostava

CZ ili MCZ Single Crystal Silicon Wafer n-tip i p-tip provodljivosti u Western Minmetals (SC) Corporation mogu se isporučiti u veličinama od 2, 3, 4, 6, 8 i 12 inča prečnika (50, 75, 100, 125, 150, 200 i 300 mm), orijentacije <100>, <110>, <111> sa površinskom završnom obradom od lajsanih, graviranih i poliranih u pakovanju pjenaste kutije ili kasete sa kartonskom kutijom izvana.

Upit sada

Detalji

Oznake

Tehnička specifikacija

CZ Silicon Wafer

CZ Single Crystal Silicon Wafer je osnovni materijal u proizvodnji integrisanih kola, dioda, tranzistora, diskretnih komponenti, koji se koriste u svim vrstama elektronske opreme i poluprovodničkih uređaja, kao i supstrata u epitaksijalnoj obradi, supstrata SOI vafla ili proizvodnji poluizolacionih ploča, posebno velikih prečnika 200mm, 250mm i 300mm su optimalni za proizvodnju ultra visoko integrisanih uređaja.Jednokristalni silicijum se takođe koristi za solarne ćelije u velikim količinama u fotonaponskoj industriji, čija gotovo savršena kristalna struktura daje najveću efikasnost konverzije svetlosti u električnu energiju.

br.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Veličina	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Prečnik mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Provodljivost	P ili N ili ne-dopirani
4	Orijentacija	<100>, <110>, <111>
5	Debljina μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 ili po potrebi
6	Otpornost Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 itd
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	Primarna ravna/dužina mm	Kao SEMI standard ili po potrebi
9	Sekundarni ravni/dužina mm	Kao SEMI standard ili po potrebi
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bow & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Završna obrada	As-cut, L/L, P/E, P/P
13	Pakovanje	Kutija od pjene ili kaseta unutra, kartonska kutija izvana.

Simbol	Si
atomski broj	14
Atomic Weight	28.09
Kategorija elementa	Metalloid
Grupa, Period, Blok	14, 3, str
Kristalna struktura	dijamant
Boja	Tamno siva
Tačka topljenja	1414°C, 1687,15 K
Tačka ključanja	3265°C, 3538,15 K
Gustina na 300K	2,329 g/cm³
Intrinzična otpornost	3.2E5 Ω-cm
CAS broj	7440-21-3
EC broj	231-130-8

CZ ili MCZ jednokristalna silikonska vaflan-tip i p-tip provodljivosti u Western Minmetals (SC) Corporation mogu se isporučiti u veličinama od 2, 3, 4, 6, 8 i 12 inča prečnika (50, 75, 100, 125, 150, 200 i 300 mm), orijentacije <100>, <110>, <111> sa površinskom završnom obradom kao rezano, preklapano, gravirano i polirano u pakovanju pjenaste kutije ili kasete sa kartonskom kutijom izvana.