Galijev antimonid GaSb

Opis

Galijev antimonid GaSb, poluprovodnik grupe III–V jedinjenja sa strukturom rešetke od cink-blenda, sintetiziran je pomoću 6N 7N elemenata visoke čistoće galija i antimona, i uzgojen do kristala LEC metodom iz usmjereno smrznutog polikristalnog ingota ili VGF metodom sa EPD<1000cm^-3.GaSb pločica se može izrezati i naknadno proizvesti od monokristalnog ingota sa visokom uniformnošću električnih parametara, jedinstvenim i konstantnim strukturama rešetke i niskom gustinom defekata, najvećim indeksom prelamanja od većine drugih nemetalnih jedinjenja.GaSb se može obraditi sa širokim izborom u tačnoj ili van orijentaciji, niskoj ili visokoj koncentraciji dopirane, dobrom završnom obradom površine i za MBE ili MOCVD epitaksijalni rast.Galijev antimonid supstrat se koristi u najsavremenijim fotooptičkim i optoelektronskim aplikacijama kao što su proizvodnja foto detektora, infracrvenih detektora sa dugim vijekom trajanja, visoke osjetljivosti i pouzdanosti, fotootporne komponente, infracrvenih LED dioda i lasera, tranzistori, termalnih fotonaponskih ćelija i termo-fotonaponskih sistema.

Dostava

Galijev antimonid GaSb u Western Minmetals (SC) Corporation može se ponuditi sa n-tipom, p-tipom i nedopiranom poluizolacionom provodljivošću u veličini od 2” 3” i 4” (50mm, 75mm, 100mm) prečnika, orijentacija <111> ili <100>, i sa završnom obradom površine vafera od rezanih, ugraviranih, poliranih ili visokokvalitetnih završnih obrada spremnih za epitaksiju.Sve kriške su pojedinačno laserski ispisane radi identiteta.U međuvremenu, polikristalni galijev antimonid GaSb se također prilagođava prema zahtjevu za savršeno rješenje.

Upit sada

Detalji

Oznake

Tehnička specifikacija

Galijev antimonid

GaSb

Galijev antimonid GaSbsupstrat se koristi u najsavremenijim fotooptičkim i optoelektronskim aplikacijama kao što su proizvodnja foto detektora, infracrvenih detektora sa dugim vijekom trajanja, visoke osjetljivosti i pouzdanosti, fotootporne komponente, infracrvenih LED dioda i lasera, tranzistori, termalnih fotonaponskih ćelija i termo -fotonaponski sistemi.

	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Veličina	2"	3"	4"
2	Prečnik mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda rasta	LEC	LEC	LEC
4	Provodljivost	P-tip/Zn-dopiran, Ne-dopiran, N-tip/Te-dopiran
5	Orijentacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Debljina μm	500±25	600±25	800±25
7	Orijentacija Ravna mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikacija Ravni mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilnost cm2/Vs	200-3500 ili po potrebi
10	Koncentracija nosača cm-3	(1-100)E17 ili prema potrebi
11	TTV μm max	15	15	15
12	Luk μm max	15	15	15
13	Deformacija μm max	20	20	20
14	Gustina dislokacije cm-2 max	500	1000	2000
15	Završna obrada	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakovanje	Pojedinačna posuda za vafle zapečaćena u aluminijumskoj vrećici.

Linearna formula	GaSb
Molekularna težina	191.48
Kristalna struktura	Cink blende
Izgled	Siva kristalna čvrsta supstanca
Tačka topljenja	710°C
Tačka ključanja	N / A
Gustina na 300K	5,61 g/cm³
Energy Gap	0,726 eV
Intrinzična otpornost	1E3 Ω-cm
CAS broj	12064-03-8
EC broj	235-058-8

Galijev antimonid GaSbu Western Minmetals (SC) Corporation može se ponuditi sa n-tipom, p-tipom i nedopiranom poluizolacionom provodljivošću u veličini od 2” 3” i 4” (50mm, 75mm, 100mm) prečnika, orijentacije <111> ili <100 >, i sa završnom obradom površine vafera od rezanih, ugraviranih, poliranih ili visokokvalitetnih završnih obrada spremnih za epitaksiju.Sve kriške su pojedinačno laserski ispisane radi identiteta.U međuvremenu, polikristalni galijev antimonid GaSb se također prilagođava prema zahtjevu za savršeno rješenje.