Indijum antimonid InSb

Opis

Indijum Antimonid InSb, poluprovodnik iz grupe III–V kristalnih jedinjenja sa strukturom rešetke od mešavine cinka, sintetizovan je pomoću 6N 7N elemenata visoke čistoće indija i antimona, i uzgaja se monokristal VGF metodom ili Liquid Encapsulated Czochralski LEC metodom iz više zona rafinisanog polikristalnog ingot-a koji se može narezati i izraditi u oblatnu i nakon toga blok.InSb je poluprovodnik sa direktnim prelazom sa uskim pojasom od 0,17 eV na sobnoj temperaturi, visokom osetljivošću na talasnu dužinu od 1–5 μm i ultra visokom mobilnošću u Halu.Indijum antimonid InSb n-tip, p-tip i poluizolaciona provodljivost u Western Minmetals (SC) Corporation može se ponuditi u veličini od 1″ 2″ 3″ i 4” (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) prečnika, orijentacija < 111> ili <100>, i sa završnom obradom površine vafera od rezanog, preklapanog, graviranog i poliranog.Indijum antimonid InSb meta prečnika 50-80 mm sa ne-dopiranim n-tipom je takođe dostupna.U međuvremenu, polikristalni indijum antimonid InSb (multikristalni InSb) sa veličinom nepravilne grudve, ili blanko (15-40) x (40-80)mm, i okrugla šipka od D30-80mm se takođe prilagođavaju na zahtev savršenom rešenju.

Aplikacija

Indijum antimonid InSb je jedan idealan supstrat za proizvodnju mnogih vrhunskih komponenti i uređaja, kao što su napredno rešenje za termičku sliku, FLIR sistem, hall element i element efekta magnetootpornosti, infracrveni sistem za navođenje projektila, infracrveni fotodetektorski senzor sa visokim odzivom , visokoprecizni magnetni i rotacijski senzor otpornosti, fokalne planarne nizove, a također prilagođen kao izvor terahercnog zračenja i u infracrvenom astronomskom svemirskom teleskopu itd.

Upit sada

Detalji

Oznake

Tehnička specifikacija

Indium Antimonide

InSb

Indijum antimonid supstrat(InSb podloga, InSb pločica) n-tip ili p-tip u Western Minmetals (SC) Corporation može se ponuditi u veličini od 1" 2" 3" i 4" (30, 50, 75 i 100 mm) prečnika, orijentacije <111> ili <100>, i sa površinom vafera sa lameliranim, graviranim, poliranim završnim slojem Indijum antimonid Single Crystal šipka (InSb Monocrystal bar) se takođe može isporučiti na zahtev.

Indium AntimonidePolycrystalline (InSb Polycrystalline, ili multicrystal InSb) sa veličinom nepravilne grudve, ili blank (15-40)x(40-80)mm takođe se prilagođavaju na zahtev za savršeno rešenje.

U međuvremenu, meta indijum antimonida (InSb meta) prečnika 50-80 mm sa ne-dopiranim n-tipom je takođe dostupna.

br.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Indijum antimonid supstrat	2"	3"	4"
2	Prečnik mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda rasta	LEC	LEC	LEC
4	Provodljivost	P-tip/Zn, Ge dopiran, N-tip/Te dopiran, Nedopiran
5	Orijentacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Debljina μm	500±25	600±25	800±25
7	Orijentacija Ravna mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikacija Ravni mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilnost cm2/Vs	1-7E5 N/nedopiran, 3E5-2E4 N/Te-dopiran, 8-0.6E3 ili ≤8E13 P/Ge-dopiran
10	Koncentracija nosača cm-3	6E13-3E14 N/nedopiran, 3E14-2E18 N/Te-dopiran, 1E14-9E17 ili <1E14 P/Ge-dopiran
11	TTV μm max	15	15	15
12	Luk μm max	15	15	15
13	Deformacija μm max	20	20	20
14	Gustina dislokacije cm-2 max	50	50	50
15	Završna obrada	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakovanje	Pojedinačna posuda za vafle zapečaćena u aluminijumskoj vrećici.

br.	Predmeti	Standardna specifikacija
br.	Predmeti	Indijum antimonid polikristalni	Cilj indijskog antimonida
1	Provodljivost	Nedopirano	Nedopirano
2	Koncentracija nosača cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilnost cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Veličina	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Pakovanje	U kompozitnoj aluminijskoj vrećici, van kartonska kutija

Linearna formula	InSb
Molekularna težina	236.58
Kristalna struktura	Cink blende
Izgled	Tamno sivi metalik kristali
Tačka topljenja	527 °C
Tačka ključanja	N / A
Gustina na 300K	5,78 g/cm³
Energy Gap	0,17 eV
Intrinzična otpornost	4E(-3) Ω-cm
CAS broj	1312-41-0
EC broj	215-192-3

Indijum antimonid InSbwafer je jedan idealan supstrat za proizvodnju mnogih vrhunskih komponenti i uređaja, kao što su napredno rješenje za termičko snimanje, FLIR sistem, hall element i element efekta magnetootpornosti, infracrveni sistem za navođenje projektila, infracrveni fotodetektorski senzor s visokim odzivom, visoki - precizni magnetni i rotacioni senzor otpora, fokalne planarne nizove, a takođe prilagođen kao izvor terahercnog zračenja i u infracrvenom astronomskom svemirskom teleskopu itd.