Indijum Arsenid InAs

Opis

Kristal InAs arsenida je složeni poluvodič grupe III-V sintetiziran od najmanje 6N 7N čistog elementa indija i arsena i uzgojen monokristal VGF ili Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) postupkom, izgled sive boje, kubični kristali sa strukturom mješavine cinka , tačka topljenja od 942 °C.Pojasni pojas indijum arsenida je direktan prelaz identičan galij arsenidu, a zabranjena širina pojasa je 0,45eV (300K).InAs kristal ima visoku uniformnost električnih parametara, konstantnu rešetku, visoku pokretljivost elektrona i nisku gustinu defekata.Cilindrični kristal InAs uzgojen pomoću VGF ili LEC može se narezati i izraditi u reznu pločicu, ugraviran, poliran ili epi-spreman za MBE ili MOCVD epitaksijalni rast.

Prijave

Kristalna pločica indijum arsenida je odličan supstrat za izradu Hall uređaja i senzora magnetnog polja zbog svoje vrhunske hall pokretljivosti ali uskog energetskog pojasa, idealan materijal za konstrukciju infracrvenih detektora s rasponom valnih dužina od 1-3,8 µm koji se koriste u aplikacijama veće snage na sobnoj temperaturi, kao i infracrveni super rešetkasti laseri srednje talasne dužine, proizvodnja LED uređaja srednje talasne dužine za opseg talasnih dužina od 2-14 μm.Nadalje, InAs je idealan supstrat za daljnju podršku heterogene strukture InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ili AlGaSb super rešetkaste strukture itd.

Upit sada

Detalji

Oznake

Tehnička specifikacija

Indijum Arsenid

InAs

Kristalna vafla indijum arsenidaje odličan supstrat za izradu Hallovih uređaja i senzora magnetnog polja zbog svoje vrhunske hall pokretljivosti ali uskog energetskog pojasa, idealan materijal za konstrukciju infracrvenih detektora s rasponom valnih dužina od 1-3,8 µm koji se koriste u aplikacijama veće snage na sobnoj temperaturi, kao i infracrveni super rešetkasti laseri srednje talasne dužine, proizvodnja LED uređaja srednje talasne dužine za opseg talasnih dužina od 2-14 μm.Nadalje, InAs je idealan supstrat za daljnju podršku heterogene strukture InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb ili AlGaSb super rešetkaste strukture itd.

br.	Predmeti	Standardna specifikacija
1	Veličina	2"	3"	4"
2	Prečnik mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Metoda rasta	LEC	LEC	LEC
4	Provodljivost	P-tip/Zn-dopiran, N-tip/S-dopiran, Nedopiran
5	Orijentacija	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Debljina μm	500±25	600±25	800±25
7	Orijentacija Ravna mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikacija Ravni mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilnost cm2/Vs	60-300, ≥2000 ili po potrebi
10	Koncentracija nosača cm-3	(3-80)E17 ili ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Luk μm max	10	10	10
13	Deformacija μm max	15	15	15
14	Gustina dislokacije cm-2 max	1000	2000	5000
15	Završna obrada	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pakovanje	Pojedinačna posuda za vafle zapečaćena u aluminijumskoj vrećici.

Linearna formula	InAs
Molekularna težina	189.74
Kristalna struktura	Cink blende
Izgled	Siva kristalna čvrsta supstanca
Tačka topljenja	(936-942)°C
Tačka ključanja	N / A
Gustina na 300K	5,67 g/cm³
Energy Gap	0,354 eV
Intrinzična otpornost	0,16 Ω-cm
CAS broj	1303-11-3
EC broj	215-115-3

Indijum Arsenid InAsu Western Minmetals (SC) Corporation može se isporučiti kao polikristalni komad ili monokristal kao rezani, ugravirani, polirani ili epi-spremne pločice u veličini od 2” 3” i 4” (50 mm, 75 mm, 100 mm) u prečniku, i p-tip, n-tip ili ne-dopirana provodljivost i <111> ili <100> orijentacija.Prilagođena specifikacija je za savršeno rješenje za naše kupce širom svijeta.